Международная конференция «Микро- и наноэлектроника – 2018» (ICMNE-2018), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика – 2018» (QI-2018) , будет проводиться с 1 по 5 октября 2018 г. в парк-отеле «Ершово», Звенигород, Московская обл. Она продолжает серию Всероссийских конференций "MНE-1999", "MНE-2001", "КИ-2002" и международных конференций "ICMNE-2003", "QI-2004", "ICMNE-2005", "QI-2005", "ICMNE-2007", "QI-2007", "ICMNE-2009", "QI-2009", "ICMNE-2012", "QI-2012", "ICMNE-2014", "QI-2014", "ICMNE-2016", "QI-2016".

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2018 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

   В 2018 году в рамках конференции будет организован российско-японский круглый стол с участием ведущих ученых.

Тематика:

Физика микро- и наноразмерных приборов:

• Проблемы и пути масштабирования наноразмерных приборов и интегральных схем.
• Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные транзисторы и переключатели и т.д.
• Интегральные устройства памяти: DRAM, ReRAM, FeRAM.
• Приборы с 1D и 2D каналами.
• Углеродная микро- и наноэлектроника.
• Твердотельные приборы для THz генерации и детектирования.
• Магнитные микро- и наноструктуры и приборы, спинтроника.
• Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства.
• Приборы оптоэлектроники, фотоники.
• Сенсоры, микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS, BioMEMS).
• Моделирование приборов.

Технология и характеризация материалов для микро- и наноэлектроники:

• Si, SOI, SiGe, A³B⁵, A²B⁶.
• High-k, low-k диэлектрики.
• Металлические пленки в приборных структурах УБИС.
• 1D, 2D материалы.
• Магнитные материалы, наномагнетики.
• Материалы оптоэлектроники, фотовольтаики, метаматериалы.

Технологические процессы и перспективное технологическое оборудование микро- и наноэлектроники:

• Литография: иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт.
• Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
• Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС.
• Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
• Технологии 3D-интеграции интегральных схем.
• Технология 2D материалов и структур для наноэлектроники (графен, MoS₂, WS₂ и др.
• Технологии 1D структур (нанопровода, нанотрубки).
• Технологии MEMS, NEMS, BioMEMS.
• Технологии изготовления сверхпроводящих приборов.

Метрология:

• Методы диагностики и управления технологическими процессами In situ (End-point детекторы, смарт-сенсоры).
• Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур.

Квантовая информатика:

• Квантовые компьютеры: теория и эксперимент.
• Квантовые измерения.
• Квантовые алгоритмы.
• Квантовая связь.

   Оргкомитет конференции приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, отраслевой науки. Программа конференции будет включать в себя и приглашенные научные доклады. Программный комитет определит, в каком виде будет представлен научный доклад (устный или постер), однако пожелания авторов, конечно, будут учтены.

   Одностраничные тезисы докладов должны содержать оригинальные научные результаты и быть представлены на английском языке.

   Для представления устных докладов будет предоставлено оборудование для комьютерных презентаций (мультимедийный проектор, компьютер). Во избежание проблем с несовместимостью различных версий Microsoft PowerPoint предпочтительно использовать презентацию в формате PDF. Иллюстративный материал и сам доклад должны быть представлены на английском языке.

   Размер стенда для стендового доклада: 120 см х 120 см. Язык представления постеров - английский.